產(chǎn)品描述:
儀器主要測量參數(shù)
測試中小功率半導體三極管開關(guān)參數(shù),
功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。
Td延遲時間
tr被測晶體管上升時間
ton晶體管開啟時間
ts存貯時間
tf被測晶體管下降時間
toff晶體管下降時間
技術(shù)參數(shù):
測量范圍:由5nS至500 nS.
測量條件:
1) Ib1=Ib2=1mA, Ic=10 mA .
2) Ib1=Ib2=3mA, Ic=300 mA .
3) Ib1=Ib2=10mA, Ic=100 mA.
4) Ib1=Ib2=30mA, Ic=300 mA.
5) Ib1=Ib2=50mA, Ic=500 mA.
脈沖寬度:0.7-2.5uS .
±脈沖前沿:≤2nS.
±脈沖幅度: ±10V±0.5V .
儀器組成及技術(shù)指標:
1)脈沖信號源 : 頻率20K
2)取樣示波器 : 帶寬: 1000MHz .
掃速: 20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm . 200nS/cm .
3)CRT顯示輸入/輸出波形 計算機顯示測量參數(shù)及測量結(jié)果